Für Galaxy S5? Samsung und SK Hynix präsentieren erstmals 8-Gb-LPDDR4-DRAM für Mobilgeräte
Als erste Hersteller haben Samsung und SK Hynix kürzlich angekündigt, in Bälde mit der Fertigung von LPDDR4-DRAM-Chips zu beginnen. Die neue Generation soll eine Speichermenge von 8 Gigabit bieten und verschiedene Vorteile gegenüber den bisherigen Chips auf DDR3-Basis. Gerüchten zufolge soll der neue RAM auch bereits beim designierten Galaxy S5 zum Einsatz kommen.
Im hauseigenen Blog hat Samsung vermeldet, den weltweit ersten "low power double data rate 4 (LPDDR4) mobile DRAM" entwickelt zu haben. Selbiges verkündet auch Halbleiterhersteller SK Hynix hinsichtlich der in Kooperation entstandenen Innovation. Die neue Technologie bietet mit 8 Gigabit auf einem Die die bisher höchste Speicherdichte bei DRAM und soll Smartphones und Tablets künftig in Form von vier Chips mit vier Gigabyte an Arbeitsspeicher ausstatten können, nachdem bisherige Modelle am Markt maximal über drei Gigabyte verfügen. Als Nachfolger für die aktuell üblichen LPDDR3-Chips mit 4 Gb oder 6 Gb soll die in 20 nm gefertigte Neuentwicklung eine um 50 Prozent höhere Performance (3.200 Mbyte/s) gegenüber den schnellsten DDR3-Varianten (1.600 Mbyte/s) bieten und dabei bei 1,1 Volt eine um rund 40 Prozent niedrigere Leistungsaufnahme aufweisen.
Als Einsatzgebiet nennt Samsung den "Premium-Mobilmarkt" mit UHD-Smartphones, Tablets und ultra-dünnen Notebooks. Der Produktionsstart soll für die erste Jahreshälfte 2014 angesetzt sein, wobei erwartet wird, dass sich die neue Generation frühestens 2015 flächendeckend etabliert. Laut einem Bericht der Webseite ittoday.co.kr soll der neue Speicher jedoch womöglich bereits im Smartphone-Topmodell Galaxy S5 von Samsung zum Einsatz kommen, dessen Vorstellung für den Februar kommenden Jahres erwartet wird.
Quelle: via zdnet.co.kr
