Jetzt mit drei Exklusivvideos und Benchmarks: Samsung SSD 840 Evo - Neuer, schneller, größer und mit TLC-NAND als Ablösung der 840 Basic

Update: Sie finden nun auch drei Videos vom Vor-Ort-Event bei Samsung zu Beginn des Artikels. Im ersten Video schauen wir der brandneuen SSD 840 Evo mit 1 TByte mal unter die Haube und vergleichen sie mit dem bekannten Samsung-Flaggschiff, der 840 Pro. In Video 2 sieht man das Samsung-Cache-Tool Rapid im Einsatz: Ein kommentierter Benchmark in Samsungs hauseigenem Tool SSD Magician. In Video 3 sehen Sie die Samsung-SSD 840 Evo mit und ohne Rapid-Beschleunigung im Crystal Diskmark: Eine sequenzielle Übertragung von mehr als 1 Gigabyte/Sekunde ist möglich.

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Auf dem SSD Global Summit 2013, einer von Samsung ausgerichteten Presseveranstaltung in Seoul, präsentiert der Hersteller in diesen Minuten die neue SSD 840 Evo - PC Games Hardware ist auf Einladung von Samsung live für Sie vor Ort. Die ursprünglich angedachte Informationssperre bis 11:00 Uhr wurde kurzfristig bereits um10:00 Uhr Ortszeit (3:00 Uhr deutscher Zeit) aufgehoben, sodass wir diesen Artikel auch ein wenig als Live-Ticker nutzen, um Sie direkt über weitere Neuankündigungen auf dem Laufenden zu halten. Geplant sind die Vorstellung der SSD 840 Evo, von welcher PCGH bereits ein Testexemplar mit 1 TByte erhalten hat. Testergebnisse sind jedoch mit einem eigenen NDA belegt, sodass wir hierzu noch nicht allzu viel verraten dürften.

Die neue SSD 840 Evo löst die bislang bekannt Basic-Reihe ab und setzt wie diese auf MLC-Speicherchips mit 3 Bit Speicherkapazität - herkömmlicher MLC-NAND bietet nur 2 Bit. Der sogenannte Triple-Level-Cell-Speicher (TLC) bietet aus diesem Grunde wirtschaftliche Vorteile und soll laut Samsung-Dokumenten 2014 bereits 50% der produzierten Kapazität ausmachen. Er kommt seit 2009 in externen Datenträgern wie USB-Sticks zum Einsatz, seit 2011 in MP3-Playern und seit letztem Jahr, 2012, mit der SSD 840 Basic auch in SSDs und ist somit durchaus markterprobt.

Vorstellung Samsung SSD 840 Evo

Quelle: PC Games Hardware Samsung SSD 840 Evo 1 TByte 09 Wie die Namensgebung bereits andeutet, handelt es sich hierbei um ein zartes Upgrade der bestehenden 840er-Reihe. Während die Optik modernisiert wurde und einem grau-in-grau gehaltenen, minimalistischen Design folgt, setzt Samsung in Sachen Technik bei der SSD 840 Evo wie gehabt auf hauseigene Entwicklungen. Sowohl der ARM-basierte MEX-Controller als auch das Toggle-DDR-2.0-NAND stammen aus den Werken der Koreaner. Bei letzterem kommt eine 3-Bit-Zelle zum Einsatz, sodass bis zu 50% mehr Kapazität pro Fläche zur Verfügung steht. In der SSD 840 Evo nutzt Samsung die seit April in Massenproduktion befindlichen 128-Gb-Dies, von denen sich acht in einem NAND-Chip stapeln ("stacken") lassen. So kommt auch die 1-TByte-Variante mit lediglich acht Speicherchips aus. Samsung gibt an, die Chips stammen aus "10nm-class" NAND-Produktion, ein wenig zusätzliche Recherche ergibt jedoch schnell, dass es sich dabei nicht um 10-nm-Technik handelt, sondern lediglich die erste Stelle des Produktionsverfahrens angibt: Von 10 bis 19nm ist alles möglich - 19nm-NAND ist derzeitiger Stand der Technik und wird, so Samsung-Offizielle auf Nachfrage, auch für das NAND der SSD 840 Evo genutzt.

Gepuffert werden die Daten in einem im Falle der 1-TB-SSD 1 GByte großen Low-Power-DDR2-Baustein und als Controller kommt ein ARM-basiertes Modell von Samsung zum Einsatz: Nach MCX und MDX folgt nun logischerweise die MEX-Ausbaustufe. Der ARM Cortex-R4 verfügt nach wie vor über drei Kerne. Den Takt haben die Samsung-Ingenieure auf 400 MHz angehoben - das ist ein Drittel mehr als noch bei der 300 MHz schnellen Vorgängergeneration, darum soll die 840 Evo auch bei der Reaktionszeit, in Benchmarks mit Queue Depth 1 zu sehen, zugelegt haben.

In Sachen ASICs sind kommen also folgende Komponenten zum Einsatz:

Quelle: PC Games Hardware Samsung SSD 840 Evo 1 TByte 12 Weitere technische Details gehen weder aus der Pressemitteilung noch aus der dem Testmuster beiliegenden Dokumentation hervor - wir hoffen, im Laufe des Summit noch weitere Details für Sie herausbekommen zu können.

Turbo Write

In der Samsung SSD 840 Evo haben die Koreaner nicht nur den Controller von 333 auf 400 MHz beschleunigt, sondern auch einen cleveren Trick angewandt, dessen sich auch Sandisk bereits bedient haben soll. Da insbesondere die Schreibraten für die "hinteren Bits" bei 3-Bit MLC langsamer ausfallen als die für das erste Bit, reserviert man einen bis zu 36 Gigabyte großen Bereich des Flash-Speichers für eine spezielle Caching-Methode. Der sogenannte High-Performance-Buffer wird intern wie SLC-NAND behandelt, sprich, es wird lediglich das erste Bit in jeder Zelle genutzt. Aus einem 36-GB-Buffer werden so 12 GB Cache, welcher eine hohe Schreibleistung aufweist (ohne jedoch die höhere Haltbarkeit von echtem SLC ebenfalls zu besitzen). Wie bei herkömmlichen Caches auch fängt dieser nur Hochlastperioden ab und wird in Zeiten niedriger Aktivität in den normalen NAND weitergeschrieben. Dadurch verhindert man eine vergrößerte Gefahr des Datenverlustes wie bei einem DRAM-Cache, andererseits steigt dadurch aber auch die Schreibbelastung und Abnutzung der Flashzellen insgesamt, da schlicht und ergreifend mehr geschrieben wird.

Während des Pressegespräches mit Samsung-Offiziellen entstand allerdings der Eindruck, es sei ein separater, "echter" SLC-Bereich auf den einzelnen Dies vorhanden - dies steht jedoch im Widerspruch zur Präsentation, die von "Simulated SLC" sowie einer Nutzung jeweils des ersten Zellenbits sprach. Wir gehen nach wie vor davon aus, dass normaler 3-Bit-MLC NAND umfunktioniert wird und nicht, dass es separate Bereiche mit echtem SLC gibt. Wie Samsung auf Nachfrage erklärte, sind diese Caching-Bereiche innerhalb der NAND-Dies festgelegt, also innerhalb konstanter Adressräume. Sie verfügten über eigene Mechanismen zur Abnutzungskontrolle (Wear-Levelling).

Es spricht für den Geist der Transparenz, dass Samsung mit dieser Technik offen umgeht und die Performancesteigerung gegenüber der 840 Basic nicht durch "Secret Sauce" erklärt.

Mithilfe einer Temperaturüberwachung setzt nun auch Samsung eine Grenze für heißlaufende SSDs. Überschreitet die Betriebstemperatur eine bestimmte Grenze (in einem Beispiel wurden 70 Grad Celsius genannt), drosselt die Überwachung den Durchsatz, bis die Temperatur wieder in einen unkritischen Bereich abgesunken ist.

Wie bereits gesagt wird die SSD 840 Evo die bekannten, günstigen Basic-Modelle ablösen und neben der weiterhin produzierten SSD 840 Pro laufen. Zum Marktstart wird es die SSD 840 Evo mit 120, 240, 500 Gigabyte und eine ein Terabyte fassende Version geben. In Sachen Preis hielt man sich derzeit bedeckt, doch wolle man die Preispunkte der Vorgängerversionen treffen, welche im PCGH-Preisvergleich derzeit bei 80 Euro für die 120-GB-Version, 140 Euro für die 240er-Variante und bei 270 Euro für die 500-GB-SSD liegen.

Quelle: PC Games Hardware Pricing
Update: Samsung hat gerade die US-Preise veröffentlicht. Die Preise für die reinen Drives (Software, Aufkleber, kein Kit-Zubehör) lauten wie folgt:

• 120 GB: 110 USD
• 250 GB: 190 USD
• 500 GB: 370 USD
• 750 GB: 530 USD
• 1000 GB: 650 USD

Daneben gibt es noch die Kit-Versionen, welche im Falle des Laptop-Upgrade-Kits über einen 9-mm-Adapter für die 7mm-SSD sowie ein SATA-zu-USB-3.0-Kabel und beim Desktop-Kit über einen 3,5-Zoll-Einbaurahmen, Schrauben, SATA-Kabel sowie einen SATA-zu-USB-2.0-Adapter verfügen. Sie kosten 10 respektive 15 US-Dollar Aufpreis und sind für die 250- und 500-GB- respektive die 120- und 250-GB-Version erhältlich.

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Samsung lässt in diesen Minuten auf dem Haus-Event SSD Global Summit 2013 in Seoul die Hüllen nicht nur der neue SSD 840 Evo fallen, auch neue PCI-Express-Modelle werden gezeigt und ein Ausblick in die künftige Produktstrategie Samsungs bei den SSDs gegeben.

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