HBM3 Gen2: Micron präsentiert schnellen Grafikspeicher der Zukunft mit 24 GiByte
Auch bei Micron folgt auf HBM 2E jetzt die nächste Stufe des sogenannten High Bandwidth Memory ("HBM"), die schlicht auf die Bezeichnung HBM3 Gen2 hört und bei einer Größe von 24 GiByte pro Speicherstapel besonders hohe Bandbreiten von 1,2 TiByte/s liefert.
Nachdem Samsung und SK Hynix es bereits entsprechend vorgemacht haben, hat jetzt auch der US-Halbleiterfertiger Micron seinen neuesten HBM-Grafikspeicher für professionelle Grafiklösungen der Zukunft vorgestellt. Die nächste Ausbaustufe des sogenannten High Bandwidth Memory ("HBM") hört schlicht auf die Bezeichnung "HBM3 Gen2" und liefert bei einer hohen Speicherkapazität von 24 GiByte pro Speicherstapel eine Bandbreite von schnellen 1,2 TiByte pro Sekunde.
Quelle: Micron
Micron HBM3 Gen2 mit 24 GiByte und 1,2 TiByte pro Sekunde
HBM3 Gen2 ist schneller und effizienter
Mit einer Speicherbandbreite von bis zu 1,2 TiByte pro Sekunde, was einer Steigerung von bis 50 Prozent im Vergleich zu erhältlichen HBM-Lösungen entspricht, übertrifft Micron auch die von SK Hynix angekündigten Speicherbausteine, die 1 TiByte pro Sekunde liefern sollen. Neben der Kapazität und der Bandbreite steigt auch die Effizienz um den Faktor 2,5 im direkten Vergleich zur Vorgängergeneration.
| HBM 1 | HBM 2 | HBM 2E | HBM 3 | HBM 3 Gen2 | HBM 4 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Release | 2013 | 2016 | 2019 | 2021 | 2023 | 2026 |
| Speicherkapazität | 4 GiByte | 8 GiByte | 16 GiByte | 24 GiByte | 36 GiByte | 64 GiByte |
| Speicherbandbreite | 128 GiByte/s | 256 GiByte/s | 461 GiByte/s | 819 GiByte/s | 1.178 GiByte/s | 1.434 GiByte/s |
HBM 3E oder HBE 3 Gen2 setzen genauso wie HBM, HBM2 und HBM 2E auf 1.024 Datenverbindungen pro Stack. Die zusätzliche Geschwindigkeit resultiert aus der nochmals höheren Taktfrequenzen von 9,2 GBit/s pro Pin. HBM 4 soll dann den Speicherdurchsatz ab 2026 auf mehr als 1,4 TiByte pro Sekunde anheben.
Dank einer Verdoppelung der vertikalen Verbindungen, der sogenannten Through-Silicon Vias ("TSVs") und diverser struktureller Verbesserungen, wie der Metalldichte und dem energieeffizienten Datenpfaddesign, möchte Micron die Effizienz nochmal um den Faktor 2,5 verbessert haben. Der Hersteller gibt zudem einen Ausblick auf zukünftige HBM-Speicherlösungen, welche insbesondere auf professionellen Grafikkarten und HPC-Beschleunigern zum Einsatz kommen werden.
Quelle: Micron
Micron HBM3 Gen2 und zukünftige Generationen
Weitere Informationen liefert die offizielle Webseite des Herstellers, die ein Spezial zu den Theman GPGPU ("General Purpose Computation on Graphics Processing Unit"), KI und HBM3 für interessierte und versierte Anwender bereithält.
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Mit den kleinen Marktanteilen im GPU-Markt ist der Kostendruck hier einfach zu hoch.
Die wesentliche News, insbesondere für dieses Forum hier sind eher Mircon's Aussagen zu deren DDR- und GDDR-Entwicklungen, konkret dass man im neuen 1-Beta-Prozess 32 Gbit-DDR5-Chips fertigen will und dass man nun neben dem von nVidia bekannten "GDDR6X" mit PAM4 nun auch 16 und 24 Gbit GDDR7 mit bis zu 32 GT/s fertigen will.
HBM wird man auch weiterhin nicht in Consumer-Hardware zu sehen bekommen.
Entsprechen auch der Abgesang an [Ins Forum, um diesen Inhalt zu sehen], denn ein derartig spekuliertes Design wird es so schnell nicht geben; AMD hat nicht ohne Grund einen L3$ eingeführt und frühzeitig auf eine Chiplet-Fertigung umgestellt um möglichst kosteneffizient fertigen zu können.
Der Vollständigkeit halber, 32 Gbit-DDR5-Chips sind hier ebenso semiinteressant, da diese Entwicklung für die nächste Zeit vorerst für das Servergeschäft relevant sein wird.
Wie es um GDDR7 steht bzgl. konkreter Karten, wird man abwarten müssen. nVidia könnte hier in 2025 ein Kandidat sein, AMD könnte bei RDNA4 ggf. mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit eher auf einen Zwischenschritt wie GDDR6W setzen. Zudem, auch Samsung hat schon seine GDDR7-Entwicklung geteasert während bei SK Hynix bisher eher die HBM-Entwicklung im Medienfokus stand, also HBM3 und HBM3E für das professionelle Marktsegment.