Intel mit 3D-Transistor: Rückblick auf die Transistor-Geschichte

Am 10.12.2007 feierte unter anderem Intel den 60sten Geburtstag des Transistors. 60 Jahre zuvor hatten Forscher der Bell Laboratories den Prototypen eines Transistors erfolgreich ausprobiert, diese Information aber rund sechs Monate zurückgehalten. Für den technischen Meilenstein erhielten drei Forscher von Bell 1956 den Physik-Nobelpreis. Ursprünglich wurden Transistoren vor allem in Radios eingesetzt, später dann auch in Fernsehern und Computern. Wie der spiegel.de damals berichtete, gab es aber auch ein deutsches Forscherteam, das parallel an der Entwicklung des Transistors arbeitete. Heinrich Welker und Herbert Mataré konnten Anfang 1948 den Transistoreffekt zum ersten Mal messen, ein Prototyp wurde Mai oder Juni 1948 fertiggestellt. Dieser Prototyp liegt aktuell im Archiv des Deutschen Museums in München.

Mit der Einführung des 22-nm-Prozesses bei den kommenden Ivy-Bridge-Prozessoren geht die Entwicklung der Transistoren in eine neue Runde - schließlich will man Moore's Law (je nach Auslegung eine Verdopplung der Integrationsdichte alle 18-24 Monate) weiter aufrechterhalten. Intel wird künftig dazu dreidimensionale Transistoren verwenden. Intel nennt die Technik 3D-Tri-Ggate und sie soll viele Vorteile gegenüber der herkömmlichen Methode (2D-Planar-Transistor) bieten. Bisher werden Prozessoren vornehmlich in einer Ebene belichtet, aber es gibt schon seit Längerem die Möglichkeit, Prozessoren auch in die Höhe zu bauen. Die Technik ist als Fin Field Effect Transistor (FinFET) bekannt und bei ihr wird der elektrische Schalter, vertikal ausgerichtet - das Gate zeigt senkrecht nach oben.

Passend zur Ankündigung heute finden Sie in der Bildergalerie Die-Shots zu einigen der wichtigsten Intel-Prozessoren, angefangen vom Intel 4004 von 1971 bis hin zum Penryn von 2007.