Intel und Micron: Joint Venture präsentiert 20nm-Flash-Speicher

Das von Intel und Micron begründete Gemeinschaftsunternehmen IM Flash Technologies (IMFT) hat per Pressemitteilung verkündet, dass man mit der Fertigung von NAND-Flash-Speicher auf Basis von MLC-Technik (Multi-Level-Cell) begonnen habe. Durch den Shrink werden nunmehr 8 Gigabyte an Kapazität auf eine Chipgröße von 118 Quadratmillimetern gebracht. Der Hersteller hebt hervor, dass durch die Verkleinerung - im Vergleich zur bisherigen 25nm-Generation mit 131 Quadratmillimetern - neben gesteigerter Effizienz auch der gewonnene Platz eine außerordentliche Rolle spielt. So soll nach eigenen Angaben mit der geringeren Strukturbreite der Chips eine Verkleinerung der Hauptplatine um bis zu 40 Prozent möglich sein - je nach Gehäusetyp. Das Joint Venture sieht das Anwendungsgebiet dieser Chips kleinerer Fertigung vornehmlich bei Smartphones und Tablet-PCs.

Trotz des neuen Fertigungsprozesses betont IMFT, dass "in punkto Leistung und Zuverlässigkeit ähnliche Werte erreicht werden", wie bei der noch aktuellen Generation. Während derzeit nur Prototypen in den Fabriken produziert werden, soll die Massenfertigung planmäßig im zweiten Halbjahr 2011 beginnen. Zur gleichen Zeit erhoffe man sich auch bereits NAND-Flash-Speicher mit 16 Gigabyte vorstellen zu können, der dann "auf der Fläche einer Briefmarke" mit einer Kapazität von 128 Gigabyte zu realisieren sei.

Zuletzt machten kleinere Strukturbreiten eher Negativschlagzeilen als Speicher-Produzent OCZ den Wechsel auf 25nm-Chips für seine SSDs vollzog und die Massenspeicher weder die beworbenen Speicherkapazitäten noch die zumindest gleichen Leistungswerte wie die Modelle mit 32nm-Chips boten.

Quelle: micron.com

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