Fortschritte beim potentiellen DRAM-Erben
Toshiba hat heute auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) den ersten ferrogmagnetischen RAM-Chip mit einer Speicherkapazität von 128 MBit vorgestellt.
Quelle: Toshiba
Neuer Rekord für nichtflüchtige Speicher: FeRAM-Chip von Toshiba mit 1,6 Gigabyte pro Sekunde
Mit 128 MBit Kapazität und einer Transferrate von bis zu 1,6 Gigabyte pro Sekunde zeigt Toshiba auf der ISSCC seine neueste Errungenschaft im Bereich FeRAM.
Im Gegensatz zu konventionellem DRAM, dessen Daten regelmäßig neu geschrieben werden müssen, behält FeRAM auch ohne Strom alle Informationen und erreicht deutlich höhere Geschwindigkeiten als Flash-Speicher. So bietet der jetzt gezeigte Chip eine Geschwindigkeit von 1,6 Gigabyte pro Sekunde. Flash-basierte Solid-State-Disks erreichen dagegen maximal ein paar 100 Megabyte pro Sekunde und müssen hierfür mehrere Flash-Chips parallel ansprechen. Trotz der neuen Rekordgröße von 128 Megabit ist FeRAM aber noch weit davon entfernt, in Konkurrenz zu Flash zu treten.
Ziel ist es viel mehr, in einzelnen Anwendungen DRAM zu ersetzen, weswegen der heute vorgestellte Chip auch über ein DDR2 Interface verfügt. Ein mit 16 Chips vollbestücktes Modul käme auf eine Bandbreite von 12,8 Gigabyte pro Sekunde (entspricht DDR 1600), allerdings bei einer Kapazität von nur 256 Megabyte.
Bei mobilen Geräten kann FeRAM zusätzlich mit der fehlenden Flüchtigkeit punkten. Zum einen spart man sich so die Energie für eine regelmäßige Auffrischung der Speicherzellen, zum anderen wird es vereinfacht, die komplette Recheneinheit für kurze Zeiträume vollständig auszuschalten. Diese Eigenschaften machen einzelne Chips als Arbeitsspeicher für Handys und UMPCs interessant. Auch der Einsatz als Cache ist im Gespräch, hier werden Datenverluste bei einem Ausfall der Stromversorgung verhindert.
