Crossbar RRAM: Neue Speichertechnologie kurz vor der Marktreife
Das US-amerikanische Unternehmen Crossbar hat ein erstes Memory Array auf Basis von Resistive RAM (RRAM oder ReRAM) hergestellt, wodurch man kurz vor der Marktreife stehe. Diese Speichertechnologie gilt als Ablöser des aktuellen NAND-Flashs, wie er aktuell zum Beispiel in digitalen Speichermedien zum Einsatz kommt.
Das Unternehmen Crossbar wurde von George Minassian, der zuvor bei dem Flash-Speicherhersteller Spansion tätig war, geleitet. Dieser hat mehrere Entwicklungsabteilungen in Japan, wo bisher die größten Fortschritte in Sachen RRAM gemacht worden sind. Außerdem ist Professor Wie Lu der Universität Michigan mit an Bord, der bei Crossbar die Position des Chefentwicklers bekleidet. Das Unternehmen hat mehrere Patente dieser Universität aufgekauft, die Grundlage des jetzt veröffentlichten Prototyps sind.
Crossbar hat in einer kommerziellen Fab ein erstes Memory Array auf Basis von RRAM hergestellt, weshalb man nach eigenen Angaben kurz vor der Marktreife stehe. Bevor man entsprechende Produkte in den Einzelhandel bringt, wolle man eine Kooperation mit Chip-Herstellern starten, um die Technologie bei Systems on a Chip (SoC) einzusetzen. Insgesamt stellt das Unternehmen Kapazitäten von bis zu einem Terabyte auf einem 200 Quadratmillimeter großen Chip in Aussicht, wobei sich durch Stapelung noch höhere Kapazitäten erreichen lassen sollen.
Die Chips selber bestehen aus drei Schichten. Die beiden äußeren bestehen aus jeweils einer Elektrode, wobei die untere im Gegensatz zur oberen metallisch ist. Die Zwischenschicht besteht aus einem amorphen Schaltmedium aus Silizium. Die Schreibgeschwindigkeit soll bis zu 140 Megabyte pro Sekunde betragen, indem die Zellen in weniger als 100 Nanosekunden schalten. Für die Leistungsaufnahme wird eine Stromstärke zwischen einem und zehn Mikroampere bei einer Spannung von drei Volt benötigt. Das soll rund fünf Prozent von herkömmlichem NAND-Flash betragen.
Durch die angewandte Technik müssen die Zellen vor dem Beschreiben nicht leer respektive gelöscht sein. Dieser Umstand stellte besonders beim Start der SSDs ein großes Problem dar, da sich die Festplatten nach einer gewissen Zeit immer mehr zugemüllt haben, wodurch sie immer langsamer wurden. Mittlerweile wurden dafür verschiedene Algorithmen, unter anderem in Form von Garbage Collection und TRIM, entwickelt.
Quelle: Golem
Alle versprechen sie höhere Geschwindigkeiten und größere Datendichte als Flash, meist auch ohne ein Alterungeffekt durchs beschreiben. Was nun wirklich davon kommt oder nicht ist imo völlig offen
Wobei 10k Zyklen als Minimum schon ein klarer Fortschritt wären.
Abwarten. Irgendwie beist sich das massiv mit dern 0,1 µs Angabe für eine einzelne Zelle. Denn damit können nicht einmal 10 MBit/s geschrieben werden, geschweige denn 140 MByte. Auch an anderer Stelle erwecken die Folien eher den Eindruck von Marketing an der Grenze zur Lüge, denn von Informationsvermittlung. Z.B. wird die Haltbarkeit für MLC Flash um den Faktor 10 zu niedrig angegeben, die Haltbarkeitsangabe ist ebenfalls komplett falsch, diverse Vergleichskategorien werden Flash komplett abgesprochen, ohne dass z.T. klar ist, was überhaupt gemeint ist...)
RRAM ist ne tolle Sache, aber wenn ein Unternehmen aus dem nichts heraus derart vielmehr verspricht, als hochkaratige Konkurrenten und es dann auch noch für nötig hält, etablierte Alternativen deutlich schlechter darzustellen, als sie sind, dann werde ich erst einmal sehr, sehr misstrauisch. Und der nicht vorhanden technische Informationsgehalt der Webseite ändert daran sehr wenig.