Test: Samsung SSD 850 Evo, nicht Revo

Als vor etwa eineinhalb Jahren die Samsung SSD 840 erschien, stellte sie eine kleine Sensation dar. Es war die erste SSD, welche der Grenze von einem TByte nicht nur nahe kam, sondern sie auch durchbrach. Bei der SSD 840 Evo erreichte Samsung diese Kapazität mit TLC-Speicher, der pro Speicherzelle drei Bits speichert. Standard ist bis heute MLC, der sich zwei Bits pro Speicherzelle merken kann.

Der nächste Technologieschritt machte aus dem bisher zweidimensional organisierten NAND einen dreidimensionalen Speicher, bei dem die Dies nicht nur in die Breite und Länge wachsen, sondern auch übereinander gestapelt werden. Dieser Speichertyp hatte sein einen Erstauftritt im Endverbrauchermarkt mit der SSD 850 Pro, dort allerdings noch als 2-Bit-MLC-Variante. Nun entwickelt Samsung dieses Konzept mit 3-Bit-MLC (TLC) weiter.
Die neue (Speicher-) EvolutionWie bereits erwähnt ist der TLC-VNAND die wichtigste Neuerung. Er besteht wie bei der SSD 850 Pro aus 32 Lagen. Da die einzelnen Speicher hierbei nicht mehr so nahe zusammengerückt werden müssen, können sie bei gleicher Kapazität deutlich größer und damit robuster gefertigt werden. Denn die Anzahl der Schreibzyklen hängt direkt von der Fertiungsstruktur ab. Während massige SL-Zellen gemäß Faustregel noch 100.000 Schreib-Lösch-Zyklen verkraften, sind es bei MLC nur noch 10.000. TLC verträgt unbestätigten Quellen zufolge noch 1.000 bis 5.000 Zyklen. 3D-VNAND soll die Anzahl wieder über das Niveau von SLC steigen. Samsung erhöht die Herstellergarantie deshalb von drei (840 Evo) auf fünf Jahre. Da die Speicherzellen vollständig geschlossene Röhren darstellen, wirken diese nun abschirmend und ermöglichen so eine Reduktion für die Fehlerkorrektur notwendige Logik. Das soll in höherer Geschwindigkeit und geringerem Stromverbrauch resultieren.

Quelle: Samsung Technische Details der SSD 850 Evo Die in der SSD 850 Evo verwendeten Dies speichern weiterhin 128 GBit (16 GByte), pro auf der Platine verlötetem Package sind also 1.024 GBit (128 GByte) möglich. Hier unterscheiden sich die 850 Evo also nicht von ihrem direkten Vorgänger. Auffallend ist natürlich auch hier kleine Platine, da die gesamte Kapazität in nur acht Chipgehäusen untergebracht werden kann, während anderswo gerne mal 16 Packages für weniger Kapazität benötigt werden. Die kleineren SSDs haben demzufolge vier, zwei und ein Flash-Packet an Bord. Auf eine 750-GB-Variante verzichtet Samsung aufgrund fehlender Nachfrage dieses Mal. Neben dem Overprovisioning wird auch wieder ein Teil des Speichers für das sogenannte TurboWrite abgezwackt: Hier wir eine TL-Zelle mit nur einem Bit beschrieben, was deutlich schneller funktioniert, als das Befüllen der Zelle mit drei Bits. Dadurch entsteht eine Art flotter Pseudo-SLC-Speicher, der die Schreibzugriffe beschleunigt. Die Kapazität des Cache bleibt gleich zur Vorgängergeneration: 12 GByte (1.000 GB), 6 GByte (500 GB) und 3 GByte (250 & 120 GB).

Samsung 850 Evo: Alter Verwalter, aber auch ein Neuer

Des Weiteren setzt Samsung zum ersten Mal seit der SSD 850 Evo wieder einen neuen Controller ein: den MGX. Diesen allerdings nur in den drei kleineren Versionen der SSD mit 120, 250 und 500 GB, die 1.000-GB-Variante nutzt weiterhin den MEX. Der MGX-Controller besitzt nur zwei statt drei Kerne, diese sind genauso wie die Kerne des MEX mit 400 MHz getaktet. Da er nur eine Kapazität bis zu 512 GByte unterstützt, liegt die Vermutung nahe, dass der MGX nur halb so viele Speicherkanäle (vier) wie der MEX besitzt. Beim zweiten Cache der SSD 850 Evo, dem DDR-Speicher, gibt es wenig Neues zu berichten. Es kommt weiterhin LPDDR2 zum Einsatz, gestaffelt mit den Kapazitäten 1 GiByte (1.000 GB), 512 MiB (500 und 250 GB) und 256 MiB (bei der 120-GB-Version). Die kompletten technischen Spezifikationen laut Samsung finden Sie in der folgenden Tabelle:

Samsung 850 Evo: Leistungsmessungen

Beim Test in den einzelnen Diszipline zeigen sich die neuen Evo-Modelle immer sehr gute Leistungen. Vom Serien-Update profitieren vor allem die Versionen mit 250 und 120 GByte. Bei diesen verbessert sich sowohl die IOPS-Leistung wie auch die sequenzielle Schreibleistung. Aber wie schon bei vielen SSD-Neuvorstellungen des Jahres dürfen Sie auch hier keine Wunder erwarten: Das SATA-6-GBit/s-Interface stellt weiterhin einen Flaschenhals dar, der erst durch den Umstieg auf PCI-E (M.2) oder SATA Express ausgeschaltet wird. Der Maximalgeschwindigkeit bei SATA-SSDs sind zurzeit also enge Grenzen gesetzt, sodass sich Neuerscheinungen meist bei der IOPS-Leistung über längere Zeiträume verbessern. Wie die 850-Evo-SSDs in den einzelnen Disziplinen abschneiden, erkennen Sie in folgenden Benchmarks

Samsung 850 Evo: Fazit

Mit der Samsung SSD 850 Evo liefert Samsung ein sehr gutes Laufwerk ab. Obwohl sich bei der Technik intern sehr viel getan hat, stellt das Laufwerk nach außen ein zum Vorgänger sehr ähnlich leistungsfähige SSD dar. 3D-VNAND kann bei den beiden größeren Laufwerken der Serie nur für minimale Verbesserungen der Leistung sorgen. Bei den kleineren Kapazitäten von 120 und 250 GB sind die Sprünge etwas größer. Der große Vorteil des 3D-VNANDs äußert sich bei der SSD 850 Evo also weniger in Leistung als in der laut Samsung deutlich höheren Robustheit, sodass sie auf die neue Generation fünf statt drei Jahre Garantie anheben. Damit die 850 Evo aber zum gleich guten Preis-Leistungs-Laufwerk wie der Vorgänger wird, müssen noch die recht hohen UVP-Preise sinken. Samsung verlangt für die SSDs nämlich ca. 95, 140, 250 und 470 Euro (120, 250, 500 und 1.000 GByte). Erfahrungsgemäß geschieht das aber recht schnell. Die SSDs sind ab dem 10. Dezember erhältlich, Anfang des Jahres 2015 soll das Sortiment dann auch um eine mSATA und M.2-Variante erweitert werden.

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Nachdem 3D-VNAND mit der Samsung SSD 850 Pro im Sommer sein Debüt bei Consumer-SSDs feierte, will das südkoreanische Unternehmen nun die Technik der breiten Masse zugänglich machen. Wir haben uns die komplette neue SSD-Generation angesehen und sie auf Herz und Nieren geprüft.

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