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Games World
      • Von PCGH_Torsten Redakteur
        Zitat von Bunny_Joe
        Ja. Würde das nicht ne Steigerung von 25GB/s zu 1TB/s+ pro Riegel bedeuten? Zuhause machts keinen Sinn, aber in Servern schon.
        Für den Server-Einsatz ist die Kapazität von HBM-Stacks weiterhin viel zu klein. Da ist HMC die bessere Wahl und wird von Intel und Micron auch mit diesem Ziel entwickelt (siehe PCGH 01/2015). Aufgrund niedrigerer Kosten und der flexiblen Modulbauweise werden sich DIMMs aber längere Zeit neben derartigen Stacked-RAM-Lösungen behaupten können.

        Zitat von Elkinator
        trotzdem ist der 3D-V-NAND halt kein 3D-speicher, das 3D ist reines marketing.
        CB behauptet das auch immer, soetwas nervt halt langsam, ich will nicht immer den selben unsinn in artikeln lesen:\
        3D-V-NAND als 3D Speicher zu bezeichnen ist korrekt. Die Speicherzellen sind innerhalb des Chips übereinander, also in dritter Dimension, angeordnet. Im Vergleich dazu stellen HBM und HMC eine 2,5-D-Lösung dar, bei der nur herkömmliche planare Speicherchips platzsparend gestapelt werden.
        Umgekehrt bezieht Samsung seine Erfahrung mit Stacked-Packages natürlich nicht aus der dreidimensionalen Verschaltung innerhalb der DIEs, sondern aus dem Verkauf von Stacked-NAND- und Stacked-DRAM-Packages, wobei die einzelnen DIEs innerhalb der Packages verschiedenste Bauformen aufweisen können.

        (Anmerkung: 2,5 D wird allerdings auch als Bezeichnung für Stacked Chips genutzt, die schmalbandig ohne TSVs kontaktiert werden.)
      • Von Elkinator Gesperrt
        hab das heft noch nie gelesen, finde es aber schon etwas komisch.
        warum haben die autoren wenn ein artikel ins heft kommt plötzlich mehr ahnung?

        3D-V-NAND als Stacked-RAM zu bezeichnen ist ja eher eine massive wissenslücke:\
      • Von maguumo Kabelverknoter(in)
        Die anderen Fehler machen es nicht besser... Im Heft stand ja auch was zu HBM, das war deutlich fundierter. Ist aber irgendwo auch verständlich das man für die Online Nachrichten nicht das gleiche QC an den Tag legt. Da schreibt der Forencrawler fix die News, einfach damit's auch hier ist...
      • Von Elkinator Gesperrt
        trotzdem ist der 3D-V-NAND halt kein 3D-speicher, das 3D ist reines marketing.
        CB behauptet das auch immer, soetwas nervt halt langsam, ich will nicht immer den selben unsinn in artikeln lesen:\

        ich finde redaktionen sollten sich vom marketing nicht blenden lassen!

        den gestapelten DDR4 kenne ich, da sollte man sich im artikel halt darauf beziehen.
      • Von maguumo Kabelverknoter(in)
        Sie produzieren aber definitiv (auch) gestapelten DDR4 SDRAM, mit TSVs. Das dürfte HBM nicht so unähnlich sein.

        Wer auch immer den Artikel korrigiert hat: Die Datenrate pro DQ ist immer noch falsch.
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High-Bandwidth Memory: Samsung produziert HBM ab 2016
Auf dem Intel Developer Forum 2015 in San Francisco hat Samsung angekündigt, ab 2016 High-Bandwidth Memory in großen Mengen produzieren zu wollen. Die Angaben entsprechen dem, was SK Hynix als "HBM-2" definiert, wobei zunächst der Grafikkarten- und HPC-Markt bedient werden soll.
http://www.pcgameshardware.de/RAM-Hardware-154108/News/High-Bandwidth-Memory-HBM-Samsung-1168835/
22.08.2015
http://www.pcgameshardware.de/screenshots/medium/2015/06/AMD_R9_Fury_X_Fiji_Aufmacher_05-pcgh_b2teaser_169.jpg
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