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      • Von ruyven_macaran Trockeneisprofi (m/w)
        Der PIV ist gescheitert, weil er versucht hat, hohe Frequenzen mit Materialien zu erreichen, die das nur unter sehr großer Wärmeentwicklung schaffen - wenn man ein neues Material findet, dem dieser Nachteil fehlt, wäre der Weg wieder frei.
        Abgesehen davon ist man dank neuerer Fertigungstechniken mitlerweile auch mit weniger HF-optimierten Architekturen in Schlagdistanz zur 4 GHz-Grenz - und hat wieder ähnliche Probleme.
      • Von Masochist Komplett-PC-Käufer(in)
        Zitat von wuselsurfer
        Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
        Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
        1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

        Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

        Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

        Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
        Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

        In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.
        Da steht eigentlich nirgends das Intel GaAs als Material verwendet, PCGH hat diese nur als Beispiel angeführt. Genauso hätten sie auch InSb oder eine andere III-V Verbindung nennen können.
        Ausserdem glaub ich nicht das Intel nochmal versuchen wird einen Prozessor in HFT zu bauen. Damit sind die schon beim P4 gescheitert, da die Hochfrequentechnik einfach viel zu viele Probleme aufwirft, als das man damit einen komplexen Mikrochip fertigen könnte. Die derzeitigen Chips pendeln ja nicht ohne Grund bei der 3GHz Marke rum.
      • Von ruyven_macaran Trockeneisprofi (m/w)
        Zitat von wuselsurfer
        Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
        Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
        1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

        Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

        Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

        Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
        Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

        In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.


        *grübel*
        Hat Cray nicht mal CPUs auf Gallium-Basis genutzt, es dann aber irgendwann aufgrund der enormen Kosten aufgegeben?

        Für Hochfrequenztechnik ist sowas ja immer n netter Ansatz, aber da will man halt auch keine Milliarde Schaltelemente haben...
      • Von RTW112 Komplett-PC-Aufrüster(in)
        Zitat von wuselsurfer
        Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
        Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
        1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

        Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

        Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

        Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
        Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

        In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.
        darf man fragen warum es in der wüste steht?

        da wäre ja wenigsten mal gute taktraten bei cpus angesatz
      • Von wuselsurfer Software-Overclocker(in)
        Die GaAs-Technologie ist eigentlich schon sehr alt.
        Die Höchstfrequenztechnik besteht seit langer Zeit auch fast nur aus GaAs-Bauteilen.
        1971 gab es bereits einen GaAs-MESFET mit 50 GHz Grenzfrequenz.

        Für LEDs wird das Material schon seit fast40 Jahren eingesetzt.

        Der Vorteil ist die sehr viel höhere Elektronenbeweglichkeit als Verbindungshalbleiter gegenüber Silizium bis 20 GHz.

        Die Problematik ist die sehr komplizierte Produktion.
        Für LEDs wird das Material schon seit 30 Jahren eingesetzt.

        In den USA stand die Fab für die Produktion von GaAs mitten in der Wüste und das aus gutem Grund.
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Neue Technologien
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Intel forscht derzeit an neuen Materialien und Transistoren, die den Energiebedarf zukünftiger Mikroprozessoren laut eigener Aussage drastisch verringern könnten.
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04.04.2009
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