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      • Von ruyven_macaran Trockeneisprofi (m/w)
        Genau so ist es. Natürlich kann man in den Zu- und Ableitungen was indizieren. Aber die sind sowieso recht robust. Problematisch sind induzierte Ströme im aktiven Bereich - und das ist hier unmöglich, denn da fließt nie ein Strom, da gibt es entweder nichts oder freifliegende Elektronen. Und selbst wenn außerhalb sehr starke induzierte Ströme induziert werden (bei militärischen Anwendungen ja fast das größere Problem - der Chip selbst ließe sich leicht abschirmen), können sie nur sehr schwer etwas kaputt machen, denn es ist eben wort-wörtlich "Nichts" da.
      • Von exa Volt-Modder(in)
        Das hat damit zu tun, dass bei einem Halbleiter die Kontakte nicht isoliert sind voneinander, sondern es quasi 2 Dioden sind. In dem Kontakt von Basis zum Emitter kann Strom fließen (die erste Diode), denn sonst würde der Transistor nicht schalten. Wenn nun dort ein zu hoher Strom fließt, fließt auch im Kontakt Collector->Emitter ein zu hoher Strom und das Teil geht hops...

        bei der Röhre jedoch sind die Kontakte voneinander isoliert, es kann kein Strom fließen. Dazu kommt noch, dass im Vakuum die Überschlagsfestigkeit enorm hoch ist, in der Luft kann es bei sehr viel niedrigeren Spannungen Überschläge geben.

        So denk ich mir das...
      • Von jusaca Kabelverknoter(in)
        Ich verstehe nicht so ganz, wie das Vakuum vor Induktion schützen soll.
        Elektromagnetische- oder radioaktive Strahlung juckt es doch nicht, ob sie durch ein Gas oder ein Vakuum "rumstrahlt"...
        Und das keine Leiter da sind, in denen irgendwie induziert werden könnte, kann ich mir auch nicht vorstellen. Aus irgendwas müssen ja die Zuleitungen auch bestehen...

        Grüße
        jusaca
      • Von ruyven_macaran Trockeneisprofi (m/w)
        Zitat von boxleitnerb
        Die 5 GHz beziehen sich doch bestimmt wieder auf einfache Schaltungen bzw. einzelne Trioden.


        Die beziehen sich auf einzelne Röhren, die leistungsfähig genug wären, um den Stromverbrauch halber Stadtteile ein Jahrzehnt lang zu schalten. Transistoren, die auch nur in die Nähe dieser Leistungen kommen, können in Silizium afaik nicht hergestellt werden und ein Vergleich mit HF-Laborexperimenten ist imho nicht wirklich angebracht. Dafür fehlten auf Röhrenseite einfach die Bestrebungen, weil schon sehr lange niemand mehr versucht, da höhere Frequenzen rauszuholen.


        Zitat von 7hor
        Also die Sache ist jetzt keine Neuheit; vielleicht eher aus den Achtzigern wiederholt aufgegriffen.


        Scheint bislang aber niemand erfolgreich umgesetzt zu haben. Weiß nicht, wie die damaligen Versuche aussahen, aber die Diamant-Beschichtung ist afaik noch keine sooo alte Technologie und zumindest SED/FED-Bildschirmen waren/sind die Elektronenemitter ein riesiges Problem. Möglich, dass man die Versuche in den 80er einstellen musste, weil man einfach kein verarbeitbares Material hatte, dass längeren Betrieb überlebt hätte.
      • Von exa Volt-Modder(in)
        Neue Fertigungstechniken, und vor allem bessere machen anschinend das ganze wieder interessant
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Mit neuesten Technologien wollen amerikanische Forscher ein altes Prinzip zurück in die Digitaltechnik holen. Ein Team der Vanderbilt University kombiniert das Prinzip einer Elektronenröhre mit dem Erfolgsgeheimnis des Transistors.
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16.08.2011
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