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      • Von PCGH_Torsten Redakteur
        Zitat von Oberst Klink
        Worauf beziehen sich eigentlich die 14nm? Bzw. überhaupt die Struckturbreite?
        Bei Intel offiziell "die kleinste Fertigbare Struktur". Allerdings gibt es auf aktuellen CPUs keine Struktur, die 14 nm kurz ist und auch die Abstände zwischen Strukturen sind größer. Umgekehrt wiederum ist der aktive Teil eines einzelnen FinFETs den von Intel veröffentlichten elektronenmikroskopischen Aufnahmen zu Folge eher 9 bis 10 nm breit.
      • Von Incredible Alk Moderator
        Da gibts viele verschiedene Methoden mit ihren Vor und Nachteilen - lies doch mal hiern bissl rein:

        http://www.synova.ch/file...
      • Von DDR2-Liebe Freizeitschrauber(in)
        Wie werden die Wafer aktuell eigentlich geschnitten?
        die einen sagen mittels Kreissäge, die anderen mittels Laser
      • Von Incredible Alk Moderator
        Zitat von Superwip
        Die Praktikabelste Maßeinheit für die "Dichte" und wenn man so will "Fortschrittlichkeit" und Integrationsdichte ist heute wohl die Fläche einer 6Transistor-SRAM Speicherzelle (Flipflop) wie sie etwa für Cache-Speicher (1Bit) in CPUs genutzt wird.
        So isses - und da hab ich auch ein paar Zahlen:

        14nm-Intel: SRAM- Fläche 0,0588 µm^2
        16nm-TSMC: SRAM- Fläche 0,07 µm^2
        14nm-Samsung: SRAM- Fläche 0,0645 µm^2

        Da sind alle zu denen ich Zahlen gefunden habe also auf dem grob gleichen Stand mit leichtem Vorteil bei Intel.
      • Von Superwip Lötkolbengott/-göttin
        Die Praktikabelste Maßeinheit für die "Dichte" und wenn man so will "Fortschrittlichkeit" und Integrationsdichte ist heute wohl die Fläche einer 6-Transistor-SRAM Speicherzelle (Flipflop) wie sie etwa für Cache-Speicher (1Bit) in CPUs genutzt wird. Und letztendlich freilich die effektive Transistordichte großer VLSI-Chips.

        Da sich in grauer Vorzeit aber eben die Gatelänge als Maßeinheit eingebürgert hat (was wohl daran lag das es hier eine gewisse Proportionalität zur erreichbaren Taktfrequenz gab...) ist man dabei geblieben und hat die Gatelänge als sie (spätestens ~ ab 90nm) nur noch wenig verkleinert werden konnte durch eine Zahl ersetzt die (meist) grob irgendwie proportional zur Wurzel der genannten Fläche ist. Wobei das im Detail jeder Hersteller anders definiert; es wurde aus Marketinggründen freilich jeweils versucht (und insbesondere auch am Übergang von der einen zur anderen Berechnung) die "Strukturgröße" kontinuierlich kleiner werden zu lassen.

        Eine reine Hausnummer ist die "Strukturgröße" also nicht aber für einen Herstellerübergreifenden Vergleich nur wenig brauchbar.

        Jedenfalls schön zu hören das UMC weiter dabei ist.

        FLASH-ROM und DRAM Prozesse sind grundsätzlich nicht mit konventionellen CMOS-VLSI Prozessen vergleichbar! Dort gibt es etwa keine oder kaum SRAM Zellen und es ist kein Optimierungsziel dieser Prozesse solche Speicherzellen möglichst klein zu machen sondern eben DRAM-Zellen oder Flash-Zellen die deutlich anders aufgebaut sind.
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Neue Technologien
14 Nanometer FinFET-Prozess: Erste Tape-Outs bei UMC mit ARM und Synopsys
Die United Microelectronics Corporation, kurz UMC, hat die ersten großen Tape-Outs für ihren hauseigenen 14-nm-FinFET-Prozess vollzogen. Dabei handelt es sich zunächst um einen Cortex-A-Chip und zum anderen um Speicherprodukte von Synopsys. Gegenüber der namhaften Konkurrenz liegt man damit weit hinterher.
http://www.pcgameshardware.de/Neue-Technologien-Thema-71240/News/14-nm-FinFET-Tape-Outs-UMC-ARM-Synopsys-1162737/
27.06.2015
http://www.pcgameshardware.de/screenshots/medium/2009/04/TSMC_Fab_12_HQ_13_b2teaser_169.jpg
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