TSMC: 3,4 Mrd. USD teures Forschungszentrum für 3 nm geplant
Laut taiwanischen Medienberichten plane TSMC weitere Milliardenausgaben, um an künftigen Fertigungsprozessen zu forschen. Nach dem Spatenstich einer neuer "Gigafab" für 24,1 Milliarden US-Dollar im Januar soll der Auftragsfertiger jetzt den Bau eines neuen Forschungs- und Entwicklungszentrum mit einem Budget von etwa 3,4 Mrd. USD planen. Primär gehe es dort um den 3-nm-Prozess und nachfolgende Generationen.
Im Januar hat TSMC den Bau einer neuen Fab für 300-mm-Wafer, vom Auftragsfertiger Gigafab genannt, begonnen. Der Bau erfolgt in verschiedenen Stufen, sodass Teile schon das Geschäft aufnehmen können, während sich die Fab nebenan noch in der Konstruktion befindet. Umgerechnet rund 24,1 Milliarden US-Dollar beziehungsweise 19,7 Mrd. Euro lässt sich TSMC den Spaß kosten. Der erste Teil soll gegen Ende 2019 fertiggestellt werden und ab 2020 Siliziumchips in 5 Nanometer belichten.
Die taiwanische Webseite focustaiwan.tw berichtet, teilweise unter Berufung anderer örtlicher Magazine, dass TSMC zurzeit eine weitere größere Investition plane. Im Hsinchu Science Park soll auf einem Grundstück von 30 Hektar ein Forschungs- und Entwicklungszentrum entstehen, das voraussichtlich 2021 fertiggestellt werde. Das geplante Budget belaufe sich auf 100 Milliarden Neue Taiwan-Dollar, umgerechnet 3,4 Mrd. USD beziehungsweise 2,8 Mrd. Euro. Die örtlichen Behörden hätten dem Bau bereits zugestimmt, jetzt müsse nur noch eine Umweltverträglichkeitsprüfung abgeschlossen werden. Im Hsinchu Science Park steht bereits TSMCs (Giga-)Fab 12 zusammen mit dem Hauptsitz und einer R&D-Abteilung. Für Synergieeffekte soll das neue Gebäude in der Nähe entstehen.
Offiziell habe TSMC nicht sagen wollen, welchen Zwecken das neue Zentrum dient. Hinter den Kulissen sei die Rede vom 3-nm-Prozess und den darauffolgenden Generationen gewesen, was nicht weiter überraschen würde. TSMC zählt zu den größten weltweiten Auftragsfertigern von Siliziumchips und hat unter anderem AMD, Apple, Nvidia und Qualcomm als Großkunden.
gRU?; cAPS
Aber als Vollmaterial in dicken Schichten geht das wohl nicht.
Siliziumsperrschichten kann ich bis 150°C belasten, da ist Germanium längst im Jenseits.
Und bei der Integration hat es mal als Zwischenschicht bei den Si-Ge Bauelementen zuletzt eine Rolle gespielt.
Als Grundmaterial bestimmt nicht, in dünnen Schichten eventuell.
gRU?; cAPS
Siliziumsperrschichten kann ich bis 150°C belasten, da ist Germanium längst im Jenseits.
Und bei der Integration hat es mal als Zwischenschicht bei den Si-Ge Bauelementen zuletzt eine Rolle gespielt.
Über 80°C und husch ... durch war die Basis.
Das Wärmeproblem wird man nicht umgehen können.
Galliumarsenid ist noch viel schwerer zu bearbeiten als Silizium und -verbindungen.
Die Ausganngs- und Zwischenprodukte sind teilweise extrem giftig oder ätzend, aber das ist ja nichts neues bei der Halbleiterei.
Das Endprodukt kann auch noch krebserregend sein.
Die Elektronenbeweglichkeit ist eben um den Faktor 10 besser, als im Silizium und man erreicht höhere Grenzfrequenzen f[Ins Forum, um diesen Inhalt zu sehen]
Fast alle Höchstfrequenzhalbleiter sind eben deswegen aus GaAs.
Hier ist das sehr gut beschrieben: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik, Bd. 1.
Alt, aber immer noch auf Uni-Level.
Ich hab noch das alte von 1980 in sechs Bänden (je 50.- M).
Das war schon eine Investition für einen Studenten.
Daher denke ich schon, dass es zumindest eine Alternative darstellt. Zumindest für die p-Kanal-FETs.
Die GaAs-Hochfrequenztransistoren sind halt auch einfach ein anderes Gebiet. Ich weiß nicht, wie gut GaAs in den Sturkutbreiten eines heutigen Transistors strukturierbar ist und wie effizient die Bauteile in diesen Größenregionen noch arbeiten können - weil das ist ja im Bereich der Logik das Hauptkriterium. Aber ich habe da auch keine praktische Erfahrung
gRU?; cAPS
Über 80°C und husch ... durch war die Basis.
Das Wärmeproblem wird man nicht umgehen können.
Galliumarsenid ist noch viel schwerer zu bearbeiten als Silizium und -verbindungen.
Die Ausganngs- und Zwischenprodukte sind teilweise extrem giftig oder ätzend, aber das ist ja nichts neues bei der Halbleiterei.
Das Endprodukt kann auch noch krebserregend sein.
Die Elektronenbeweglichkeit ist eben um den Faktor 10 besser, als im Silizium und man erreicht höhere Grenzfrequenzen f[Ins Forum, um diesen Inhalt zu sehen]
Fast alle Höchstfrequenzhalbleiter sind eben deswegen aus GaAs.
Hier ist das sehr gut beschrieben: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik, Bd. 1.
Alt, aber immer noch auf Uni-Level.
Ich hab noch das alte von 1980 in sechs Bänden (je 50.- M).
Das war schon eine Investition für einen Studenten.