Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

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Einer Roadmap zufolge wird Intel 2013 System-on-a-Chip-Produkte im Tri-Gate-22-Nanometer-Verfahren fertigen. System-on-a-Chip heißt, dass die wichtigen Komponenten auf dem Siliziumwafer verbaut sind. So ist es möglich, beispielsweise eine Mobilfunkkomponente zu verbauen - Intel plant damit, im Bereich der mobilen Geräte zu expandieren.

Intel will im Jahre 2013 neben den Haswell-Prozessoren auch neue SoC-Produkte präsentieren - genauer gesagt die Valleyview-Atoms. Bei System-on-a-Chip wird ein Großteil der Funktionen eines Systems (beispielsweise eines Smartphones) auf einem Chip zusammengefasst. Bei Smartphones und Tablets betrifft das beispielsweise die Grafik- und/oder Mobilfunkkomponente. Dieses Verfahren findet besonders bei mobilen Geräten Verwendung, da hier meist nur wenig Platz zur Verfügung steht. Werden verschiedene Komponenten zusammengefasst, wird dadurch Platz gespart und die Geräte werden beispielsweise flacher. Intel ist in diesem Bereich bei Smartphones derzeit nur wenig vertreten - aktuelle SoCs (Penwell-Atoms der Medfield-Plattform wie der Z2460 im Razer i) werden im 32-Nanometer-Verfahren gefertigt.

Im Jahre 2013 will Intel SoCs im 22-Nanometer-Verfahren fertigen, der Prozess nennt sich P1271. Dadurch werden die Chips unter anderem sparsamer und können so eine längere Akkulaufzeit bieten - oder auch höher takten. Das Tri-Gate-Verfahren wird allgemein auch als 3D-Verfahren gefertigt. Hier wird zusätzlich zu dem Silizium-Wafer "eine dritte Dimension" genutzt. Das wird erreicht, in dem sogenannte Gater über den Leitungen liegen. Durch das Tri-Gate-22-Nanometer-Verfahren will Intel SoCs schaffen, die mit geringerer Spannung arbeiten, gleichzeitig aber auch leistungsfähiger sind.

Das 22-Nanometer-Verfahren kommt unter anderem bereits bei mobilen Core-Prozessoren der Ivy-Bridge-Generation zum Einsatz (P1270). Ein Beispiel ist der i7-3517U. Diese Prozessoren werden unter anderem in Ultrabooks verwendet und zeichnen sich durch eine geringe TDP aus - beim i7-35147U sind es 17 Watt. Bei Tablets und Smartphones hingegen stammen die SoCs zu einem Großteil von ARM respektive und ARM-Partnern wie zum Beispiel Samsung. Wir dürfen gespannt sein, ob sich das 2013 und in den Jahren danach langsam ändern wird - Intel beginnt erst, den Atom auf den Tablet- und Smartphone-Markt zu eichen.

Quelle: Cnet

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    • Kommentare (6)

      Zur Diskussion im Forum
      • Von Bennz Software-Overclocker(in)
        AW: Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

        Zitat von ruyven_macaran
        Auch die sind stinknormale IB-Technik. Und die Valleyview-SoC-Pläne sind auch nicht gerade neu.

        hätte der ruy post 1 gelesen. es ging um sandy zu ivy.
      • Von Bennz Software-Overclocker(in)
        AW: Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

        Zitat von ruyven_macaran
        Auch die sind stinknormale IB-Technik. Und die Valleyview-SoC-Pläne sind auch nicht gerade neu.

        hätte der ruy post 1 gelesen. es ging um sandy zu ivy.
      • Von NCphalon BIOS-Overclocker(in)
        AW: Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

        Aber den Konkurrenten im SoC-Bereich wie ARM ist sie afaik net zugänglich, ich denke der erstmalige Einsatz in SoCs is hier die große Sensation^^
      • Von Standeck BIOS-Overclocker(in)
        AW: Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

        Ich dachte die Tri Gate Technik wird auch bei den großen Ivy Bridge Prozessoren eingesetzt?!
      • Von ruyven_macaran Trockeneisprofi (m/w)
        AW: Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

        Auch die sind stinknormale IB-Technik. Und die Valleyview-SoC-Pläne sind auch nicht gerade neu.
      • Von Bennz Software-Overclocker(in)
        AW: Intel plant für 2013 System-on-a-Chip (SoC) mit Tri-Gate-22-Nanometer-Fertigung

        du hast die trigates vergessen
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